«Эффекты взаимодействия и беспорядка в тонких плёнках трёхмерных топологических изоляторов»
19 марта 2014г.
Игорь Сергеевич Бурмистров
Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН
Аннотация доклада
В докладе будет представлена теория квантовых поправок от интерференции (слабая антилокализация) и межэлектронного взаимодействия (поправки Аронова-Альтшулера) для электронного транспорта в диффузионном режиме на поверхности тонких пленок трёхмерных топологических изоляторов. Рассмотрен общий случай разных поверхностных концентраций носителей, различных коэффициентов диффузии для носителей на противоположных сторонах пленки, и некоррелированного на разных поверхностях пленки беспорядка. Показано, что взаимодействие между электронами на верхней и нижней поверхностях пленки приводит к качественно новому поведению поверхностной проводимости как функции температуры, по сравнению со случаем массивного образца: возникает режим немонотонного с температурой изменения поверхностной проводимости. Также проведено сравнение между поведением проводимости на поверхности тонкой пленки топологического изолятора и двумерного электронного газа в двойной квантовой яме с сильным спин-орбитальным взаимодействием.
