«Эффекты резонансного туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах»
22 мая 2013г.
Никита Сергеевич Аверкиев
ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
Аннотация доклада
Туннелирование представляет собой квантовый процесс прохождения частицы через классически недоступные области, в которых ее кинетическая энергия отрицательная. Под резонансным туннелированием понимают процесс, когда вероятность прохождения классически недоступных областей мала, однако имеются интервал энергии частицы для которых вероятность прохождения точно равна единице, но этот интервал чрезвычайно узкий. В объемных материалах весьма сложно реализовать такую резонансную ситуацию, однако в полупроводниковых структурах, содержащих квантовые ямы или точки с характерными размерами несколько нанометров, удается создать условия для резонансного туннелирования. В лекции будет рассмотрено несколько примеров из физики полупроводников, в которых резонансное туннелирование носителей тока приводит к неожиданным эффектам.
Видеозапись семинара
Онлайн-просмотр и скачивание доступны на сайте Кафедры общей физики и физики конденсированного состояния.
