«Квантовый транспорт электронов через структуры атомного масштаба при учете процессов неупругого рассеяния и многократного отражения»
04 декабря 2013г.
Валерий Владимирович Вальков
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Аннотация доклада
Развитие экспериментальной техники позволило исследовать вольт-амперные характеристики отдельных атомов, молекул и их комплексов, находящихся на поверхности металлического контакта, или в разломе. Нами показано, что процессы неупругого рассеяния электронов на таких структурах инициируют резонанс и антирезонанс Фано, а приложение внешнего магнитного поля и электрического поля затвора, изменяя условия реализации эффекта Фано, приводит к гигантскому магнитосопротивлению. Методом неравновесной техники Келдыша при использовании неравновесных функций Грина, построенных на операторах Хаббарда, проведено развитие теории квантового транспорта электронов, учитывающей процессы многократного рассеяния. Получены выражение для тока и замкнутая система квантовых кинетических уравнений, определяющая неравновесные числа заполнения состояний структуры. Для анизотропной магнитной примеси вольт-амперные характеристики в режиме туннельной связи проявляют ступенчатые особен-ности, а при энергиях электрического поля смещения, близких к энергиям возбуждения структуры, демонстрируют эффект отрицательной дифференциальной проводимости. В режиме асимметричной связи магнитной примеси с контактами появляется возможность переключения между ее состояниями с различными значениями проекции полного спина.
Видеозапись семинара
Онлайн-просмотр и скачивание доступны на сайте Кафедры общей физики и физики конденсированного состояния.
